作者Zoma (喔喔喔~~~)
看板Tech_Job
標題[面試] 台積電研替面試心得
時間Mon Dec 30 19:22:26 2013
小弟大學念物理,後來念光電,但主要都是在做電晶體, 光罩製程量測分析都有碰一些,我面試的時間點很晚,大概在十二月中, 面試的部門隸屬於類比/射頻暨特殊技術處, 一開始也是一樣考考英文,和HR喇賽一下,就坐巴士到八廠去面試, 面試地點是辦公室旁的小討論室,面試我的是位親切的女經理, 一開始都和大家差不多,問些遇到問題怎解決啦,有沒有遇過什麼挫折拉, 怎麼帶學弟妹拉,合作對象辦事不力之類的, 後來就開始問些元件物理以及製程的問題,畫些圖和解釋在白板上, 我把部分記得的問題整理在文末,老實說第一次面試實在有點緊張, 而且我以為面試只是喇喇賽而已,所以有一兩題回答不太出來, 面試大約一小時出頭後,經理說下禮拜再跟我約和處長面試, 面試時要簡略的報告自己博班在做什麼,下一個禮拜就去了二廠面試, 面試的人員為處長和同處的經理,過程就是一直不斷地問問題與回答問題, 由於和自己研究有些相關,因此大致上都能回答,回去之後過了兩天, 就收到信要我繳交英文研究摘要,說要呈交給更高的長官, 再過一個禮拜就收到紙本offer了,本來找我的部門是做LCD driver IC之類, 後來因為我的研究有涉及到三五族元件,後來錄取我的是二面經理的部門, 此外個人感覺是做固態的PhD,至少在找研發替代役的階段, 好像除了台G沒有什麼其他更好的選擇,唸到博班了要轉行別人的接受度也比較低 ------------------------問題彙整(還記得的)------------------------------- Q1:請畫MOS的I-V與C-V curve並說明 Q2:請畫Isub對gate voltage作圖,並解釋為何會有兩個峰值 Q3:請解釋drain induced barrier lowering, gate induced barrier lowering gate induced drain leackage Q4:比較濕蝕刻與乾蝕刻的差異與優劣 Q5:說明TFT面板的構造與訊號驅動方式 Q6:請列舉並說明數種元件崩潰機制 Q7:為什麼在音頻主要是考慮flicker noise? 那shot noise呢? thermal noise呢? Q8:h21和MAG的交叉點有什麼意義? 為什麼MAG在接近cutoff的地方會迅速掉下來? stable factor K有什麼物理意義? Q9:請解釋GaN的兩種polarization機制 Q10:如何達到緩慢而又均勻的etching rate,試描述digital etching Q11:在實務需求上為什麼要E-mode GaN HEMTs, Vth要多高才夠用? Q12:在process上如何調整GaN HEMTs的Vth Q13:GaN在RF的應用上和GaAs比有什麼優勢 Q14:假設給你一條transfer curve,它在從off state到subthreshold間有些許抖動, 你要用怎樣的電性量測檢查元件哪裡出了問題? Q15:在封裝上如何解決散熱的問題? Q16:如何提升元件的崩潰電壓 Q17:近來GaN的功率元件在穩定性經常無法通過考驗,你有什麼看法 Q18:請敘述並解釋高斯定律 --
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推 klimkid:問題分享的很詳細! 12/30 19:29
推 frank11118:推 12/30 19:52
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